存儲行業(yè)漲價的風愈吹愈烈，分析機構(gòu)再次上調(diào)漲幅預(yù)期，這次調(diào)漲幅度“相當大”。
摩根士丹利最新報告指出，PC與智能手機制造商正積極建立存儲芯片庫存，明年Q1存儲芯片的價格有望大幅上漲。
根據(jù)其援引的TrendForce預(yù)期數(shù)據(jù)，明年Q1，DRAM及NAND價格環(huán)比增幅均有望達到18%-23%——相較TrendForce此前預(yù)期（DRAM價格環(huán)比增長8%-13%、NAND 5%-10%），最新的預(yù)計增幅翻倍不止，上調(diào)了10-13個百分點。
下游客戶行為已發(fā)生轉(zhuǎn)變：到2024年，來自中國智能手機OEM廠的訂單量將大幅增加。大摩指出，智能手機OEM廠商已開始補貨，目前庫存僅恢復(fù)到正常水平（移動DRAM為4-6周、NAND為6-7周）。與此同時，PC ODM/OEM廠商也在著手建立庫存。
而存儲廠商大幅減產(chǎn)之后，產(chǎn)量仍遠遠低于需求，因此需求上漲帶動存儲價格上漲。
供需差距下，已有部分存儲產(chǎn)品出現(xiàn)缺貨。上游存儲原廠減產(chǎn)后，整體供貨資源順序出現(xiàn)動態(tài)調(diào)整，優(yōu)先供貨自家品牌產(chǎn)品，對外NAND銷售比例下降。供應(yīng)鏈稱，目前已有部分產(chǎn)品缺貨，客戶敲定第一波預(yù)訂單后，想再增加拉貨卻已買不到。
不僅如此，產(chǎn)業(yè)鏈廠商們對漲價趨勢均是頗為樂觀。
上周全球第四大NAND Flash供應(yīng)商西部數(shù)據(jù)對客戶發(fā)出漲價通知信。在信中，西部數(shù)據(jù)表示，公司會每周審查硬盤產(chǎn)品定價，預(yù)計明年上半年價格將上漲；NAND芯片部分，公司預(yù)期未來幾季價格將呈現(xiàn)周期性上漲，在當前報價的基礎(chǔ)上，累計漲幅或達55%。
存儲廠商威剛?cè)涨耙脖硎?，看好明年?nèi)存價格將持續(xù)正向發(fā)展，“內(nèi)存多頭市場才正要開始”?，F(xiàn)階段上游的減產(chǎn)計劃維持，漲價態(tài)度強勢，不只Q4的NAND Flash調(diào)漲幅度與頻率超乎預(yù)期，明年Q1也預(yù)期有相當?shù)臐q價空間。
值得一提的是，韓國金融投資業(yè)界日前一致上調(diào)了三星電子和SK海力士兩家存儲龍頭的Q4業(yè)績預(yù)期。其中，SK海力士有望結(jié)束連續(xù)4個季度的營業(yè)赤字，今年Q4將實現(xiàn)1000億韓元左右的盈利；三星電子也有望在明年Q1扭虧為盈。
中信證券12月6日報告指出，產(chǎn)業(yè)鏈公司Q3業(yè)績均有所修復(fù)，主流、利基存儲價格齊漲，持續(xù)關(guān)注原廠庫存去化進程和下游需求復(fù)蘇節(jié)奏對存儲價格的影響。行業(yè)周期角度，海外大廠稼動控制下存儲供需逐漸改善，主流存儲價格Q3起持續(xù)回暖，并在Q4帶動利基存儲價格觸底回升，看好產(chǎn)業(yè)鏈細分龍頭Q4隨庫存去化、需求逐步回歸迎來業(yè)績底部復(fù)蘇，看好國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)鏈周期復(fù)蘇疊加國產(chǎn)化趨勢下的投資機遇。建議關(guān)注：1）存儲模組；2）受益DDR5升級滲透的存儲配套芯片；3）存儲芯片設(shè)計。
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